Introduzione
In sostanza, sia lo ZTX653 che lo ZTX753 rientrano nella categoria dei transistor. Tuttavia, si ritiene che lo ZTX653 abbia una polarità Negativo-Positivo-Negativo (NPN), mentre lo ZTX753 è noto per avere una polarità Positivo-Negativo-Positivo (PNP).
Sebbene differiscano per alcuni aspetti, entrambi sono transistor planari di potenza media al silicio. Inoltre, lo ZTX653 e lo ZTX753 sono transistor a giunzione bipolare (BJT) , il che significa che sono composti da tre (3) terminali che hanno la capacità di amplificare i segnali.
Analogamente all'importanza dei transistor tipici, queste due classi di BJT, ZTX653 e ZTX753, sono cruciali nella regolazione della corrente che scorre in un circuito. In questo modo, la potenza e la corrente che passano attraverso l'intero sistema sono limitate al valore del dispositivo, riducendo il rischio di errori e danni al dispositivo stesso mentre funziona al meglio.
Di conseguenza, condivideremo gli aspetti essenziali relativi allo ZTX653 e allo ZTX753, inclusa la loro definizione, i valori nominali massimi assoluti, le caratteristiche elettriche e le caratteristiche dinamiche, per comprendere appieno il loro concetto. Quindi, suggeriamo di leggere fino alla fine!
Spiegazione dettagliata dei transistor a giunzione bipolare (BJT)
Cos'è ZTX653?
Come già accennato, lo ZTX653 è un transistor di tipo bipolare, in particolare a giunzione bipolare con configurazione di polarità Negativo-Positivo-Negativo (NPN). Inoltre, il suo tipo di montaggio è Through a Hole (TWH ) con un package E-Line compatibile con TO-92.
Si è ritenuto che lo ZTX653 disponesse di una potenza operativa di 100 Volt per la sua tensione collettore-emettitore. Inoltre, possiede una corrente di 2 A che scorre continuamente. A parte questo, è noto che possiede una bassa tensione di saturazione; ciò significa che il rapporto tra il collettore e l'emettitore è stabile. In definitiva, il suo valore di dissipazione di potenza è di 1 W.
Nel complesso, le caratteristiche dello ZTX653 non differiscono molto dallo ZTX753; tuttavia, attraverso le loro capacità, si può distinguere qual è il transistor più adatto per le loro applicazioni. Se non si è ancora in grado di decidere tra questi due, incoraggiamo vivamente i nostri lettori a inviarci le loro domande; saremo lieti di assistervi.

Comprensione del concetto di ZTX653
Cos'è ZTX753?
Come accennato, lo ZTX753 è una classe di transistor simile allo ZTX573. Inoltre, la loro classificazione è simile; cadono con il Bipolar Junction Transistor (BJT). Tuttavia, la sua polarità differisce dallo ZTX653; invece di NPN, è PNP (positivo-negativo-positivo).
In termini di confezione e montaggio, sono simili; E-Line è adatto rispettivamente per TO-92 e Through Hole. Inoltre, sono considerati conformi a RoHS e REACH; quindi, sono ecologici. Inoltre, il suo livello di sensibilità all'umidità è a 1. Inoltre, la sua tensione di base è a -120 V, con un valore di -2 A per la sua corrente continua.
Complessivamente, lo ZTX753 ha molte più somiglianze che differenze con lo ZTX653; tuttavia, hanno le loro caratteristiche notevoli che potrebbero essere cruciali per alcune applicazioni. Pertanto, suggeriamo di considerare attentamente i requisiti dell'applicazione e del dispositivo prima di selezionare un transistor tra ZTX653 e ZTX753.

Comprensione del concetto di ZTX753
Classificazioni massime assolute di ZTX653 e ZTX753
Per comprendere appieno la differenza di capacità tra ZTX653 e ZTX753, analizzeremo i valori nominali massimi di ciascun transistor. In questo modo, potremo evitare un utilizzo eccessivo del componente, ottenendo così prestazioni impeccabili una volta integrato. Tutti i valori che verranno menzionati di seguito si basano su T A = 25 °C.
Simbolo | Parametro | ZTX653 | ZTX753 |
| VCBO | Collettore – Tensione di base | 120 V | - 120 V |
V CEO | Tensione collettore-emettitore | 100 V | - 100 V. |
| VEBO | Emettitore – Tensione di base | 5 V | - 5 V. |
CIRCUITO INTEGRATO | Corrente continua di collettore | 2 A | - 2A |
| IB | Corrente di base | 2 A | - 2A |
P D | Dissipazione di potenza totale a TA = 25°C Declassare sopra i 25°C | 1.0 W | |
8mW/°C | |||
T J | Intervallo di temperatura di giunzione | -55 a 150 ° C | |
| TSTG | Temperatura di stoccaggio | -55 a 150 ° C | |
Caratteristiche elettriche di ZTX653 e ZTX753
Per comprendere appieno le differenze tra i transistor ZTX653 e ZTX753, è necessario analizzare le loro caratteristiche elettriche. In questo modo, sarà facile distinguere quale dei due sia più adatto alle proprie applicazioni. È importante notare che tutti i valori menzionati si basano su una temperatura A = 25 °C.
Simbolo | Scheda Sintetica | Condizioni di prova | Min. | Tip. | Max. | Unità | |
V (BR)CBO (1) | Tensione di rottura della base del collettore | IC = 100µA | ZTX653 | 120 | V | ||
| IC = – 100µA | ZTX753 | all'120 ottobre | |||||
V (BR)CEO (1) | Tensione di rottura collettore-emettitore | IC = 10mA | ZTX653 | 100 |
µA | ||
I C = – 10 mA | ZTX753 | all'100 ottobre | |||||
| V(BR)EBO(1) | Tensione di rottura base emettitore | IE = 100µA | ZTX653 | 5 | |||
| IE = – 100µA | ZTX753 | -5 | |||||
I CBO (1) | Corrente di interruzione base collettore | VCB = 100 V | ZTX653 | 0.1 | |||
| VCB = – 100 V | ZTX753 | - 0.1 | |||||
I EBO (1) | Corrente di interruzione base-emettitore | VEB = 4 V | ZTX653 | 0.1 | |||
V EB = – 4 V | ZTX753 | - 0.1 | |||||
V CE(sat) (1) | Tensione di saturazione collettore-emettitore | IC = 500mA I B = 50 mA | ZTX653 | 0.2 | 0.3 |
V
| |
I C = – 500 mA I B = – 50 mA | ZTX753 | - 0.2 | - 0.3 | ||||
I C = 1.0 A I B = 100 mA | ZTX653 | 0.35 | 0.5 | ||||
I C = – 1.0 A I B = – 100 mA | ZTX753 | - 0.35 | - 0.5 | ||||
I C = 2 A I B = 200 mA | ZTX653 | 0.8 | 1.0 | ||||
I C = – 2 A I B = – 200 mA | ZTX753 | - 0.8 | - 1.0 | ||||
V BE(sat) (1) | Tensione di saturazione base-emettitore | IC = 1.0 A I B = 100 mA | ZTX653 | 1.0 | 1.3 | ||
I C = 1.0 A I B = 100 mA | ZTX753 | - 1.0 | - 1.3 | ||||
V BE(on) (1) | Tensione di accensione base-emettitore | IC = 1.0 A V CE = 2 V | ZTX653 | 0.95 | 1.2 | ||
I C = 1.0 A V CE = 2 V | ZTX753 | - 0.95 | - 1.2 | ||||
|
H FE (1) |
Guadagno di corrente CC | IC = 50mA V CE = 2 V | ZTX653 | 70 | 200 | ||
I C = – 50 mA V CE = – 2 V | ZTX753 | ||||||
I C = 500 mA V CE = 2 V | ZTX653 | 100 | 200 | 300 | |||
I C = – 500 mA V CE = – 2 V | ZTX753 | ||||||
I C = 1.0 A V CE = 2 V | ZTX653 | 55 | 110 | ||||
I C = 1.0 A V CE = – 2 V | ZTX753 | ||||||
I C = 2 A V CE = 2 V | ZTX653 | 25 | 55 | ||||
I C = – 2 A V CE = – 2 V | ZTX753 | ||||||
Caratteristiche dinamiche di ZTX653 e ZTX753
Per completare la lista di controllo, vorremmo discutere le caratteristiche dinamiche di ZTX653 e ZTX753. In tal modo, possiamo ridurre ulteriormente la propria scelta conoscendo i valori dinamici che si possiedono. Tutti questi valori si basano sull'ampiezza dell'impulso di ≤ 380 µs.
Simbolo | Scheda Sintetica | Condizioni di prova | Min. | Tip. | Max. | Unità | |
f T | Frequenza di transizione | IC = 100mA f = 100 Mhz | V CE = 5 V ZTX653 | 140 | 175 | MHz | |
I C = – 100 mA f = 100 Mhz | V CE = – 5 V ZTX753 | 100 | 140 | ||||
COBO | Capacità di uscita | IE = 0 f = 1.0 Mhz | V CB = 10 V ZTX653 | 30 | pF | ||
I E = 0 f = 1.0 Mhz | V CB = – 10 V ZTX753 | ||||||
| ATTIVATO | Tempo di accensione | IC = 500mA | ZTX653 | 80 |
ns | ||
V CC = 10 V | |||||||
I C = – 500 mA | ZTX753 | 40 | |||||
V CC = – 10 V | |||||||
TO OFF | Orario di spegnimento | IB1= IB2 = 50mA | 1200 | ns | |||
I B1 = I B2 = – 50 mA | 600 | ||||||
Conclusione
Per concludere, ZTX653 e ZTX753 sono entrambe sottocategorie di transistor, in particolare transistor Bipolar Junction (BJT); tuttavia, hanno polarità diverse, una di classe NPN e l'altra di classe PNP.
Se hai dubbi sulla differenza tra queste due polarità, abbiamo scritto un articolo dettagliato che le spiega in dettaglio: Transistor per PCB . Tuttavia, se ciò non dovesse chiarire i tuoi dubbi, ti consigliamo di contattare direttamente PCBTok . Saremo lieti di fornirti la nostra consulenza professionale per aiutarti a scegliere il transistor più adatto alle tue esigenze e applicazioni.
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